通過對TYPE-C母座的模擬實驗,您可以獲得特性阻抗、插入損傷、回流損傷和串聯損傷等因素的模擬數據信息。經過多方面的效果分析,發現導致射頻連接器母座信號完整性的主要因素是:特性阻抗波動過大,值小,回波損失大。因此,在優化TYPE-C母座時,我們可以主要從優化這兩個方面開始。
TYPE-C母座如何優化特性阻抗
鑒于TYPE-C母座在信息傳輸過程中的特性阻抗較小,回波損耗較大,本質上或特性阻抗不持續。根據模擬和模擬測試的最終發現,射頻連接器的公頭和母頭之間的連接結構導致數據信號傳輸異常。因此,優化電連接器公頭和母頭的理解結構是處理電連接器信號完整性問題的重要組成部分。由于電極連接線的特性阻抗與容抗和高精度感應阻抗有關,如果值得提高TYPE-C母座的特性阻抗,則需要按照以下兩種方法進行。
一是根據改變危害TYPE-C母座感應抗性的技術參數,提高感應抗性;二是利用改變危害母座容量抗性的技術參數來減少容量抗性。充分考慮電感器主要受同軸電纜中間間隔的影響,如果優化危害電感器的主要參數,則需要改變線間隔,這將導致TYPE-C母座的實體模型發生很大的變化,同時也會對電連接器造成很多意想不到的問題。因此,在優化C型USB母座時,我們應該充分考慮各個方面。